【E教室】MOS管為680UF 6.3V什么會被靜電擊穿？

　　MOS管一個ESD敏感器件，它自己的輸入電阻很高，而柵源極間電容又很是小，所以極易受外界電磁場或靜電的感到而帶電(少量電荷就大概在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強的場所難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方法：一是電壓型，即柵極的薄氧化層產生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，可能使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路可能是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。

　　靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數遠小于器件散熱的時間常數。因此，當靜電放電電暢通過面積很小的pn結或肖特基結時，將發生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有大概使局部結溫到達甚至高出質料的本征溫度(如硅的熔點1415℃)，使結區局部或多處熔化導致pn結短路，器件徹底失效。這種失效的產生與否，主要取決于器件內部區域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。

　　反偏pn結比正偏pn結更容易產生熱致失效，在反偏條件下使結損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一閣下。這是因為反偏時，大部門功率耗損在結區中心，而正偏時，則多耗損在結區外的體電阻上。對付雙極器件，凡是發射結的面積比其它結的面積都小，并且結面也比其它結更接近外貌，所以經常調查到的是發射結的退化。另外，擊穿電壓高于100V或泄電流小于1nA的pn結(如JFET的柵結)，比雷同尺寸的通例pn結對靜電放電越發敏感。

　　所有的對象是相對的，不是絕對的，MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個很大的特點就是隨機性，并不是沒有遇到MOS管都可以或許把它擊穿。別的，就算是發生ESD，也不必然會把管子擊穿。靜電的根基物理特征為：(1)有吸引或排出的氣力;(2)有電場存在，與大地有電位差;(3)會發生放電電流。這三種景象即ESD一般會對電子元件造成以下三種景象的影響：(1)元件吸附塵埃，改變線路間的阻抗，影響元件的成果和壽命;(2)因電場或電流粉碎元件絕緣層和導體，使元件不能事情(完全粉碎);(3)因瞬間的電場軟擊穿或電流發生過熱，使元件受傷，固然仍能事情，可是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞大概是一，三兩種環境，并不必然每次都是第二種環境。上述這三種環境中， 東莞電容廠家，假如元件完全粉碎，必能在出產及品質測試中被察覺而解除，影響較少。假如元件輕微受損，在正常測試中不易被發明，在這種景象下，常會因顛末多次加工，甚至已在利用時，才被發明粉碎，不單查抄不易，并且損失亦難以預測。靜電對電子元件發生的危害不亞于嚴重火警和爆炸變亂的損失。

　　電子元件及產物在什么環境下會蒙受靜電粉碎?可以這么說：電子產物從出產到利用的全進程都蒙受靜電粉碎的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯、包裝運輸直至產物應用，都在靜電的威脅之下。在整個電子產物出產進程中，每一個階段中的每一個小步調，靜電敏感元件都大概蒙受靜電的影響或受到粉碎，而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸的進程。在這個進程中，運輸因移動容易袒露在外界電場(如顛末高壓設備四周、工人移動頻繁、車輛迅速移動等)發生靜電而受到粉碎，所以傳送與運輸進程需要出格留意，以淘汰損失，制止無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩壓管掩護。

　　此刻的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管掩護。vmos柵極電容大，感到不出高壓。與干燥的北方差異，南邊濕潤不易發生靜電。尚有就是此刻大大都CMOS器件內部已經增加了IO口掩護。但用手直接打仗CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。

　　MOS

　　管被擊穿的原因及辦理方案

　　第一、MOS管自己的輸入電阻很高，而柵源極間電容又很是小，所以極易受外界電磁場或靜電的感到而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。固然MOS輸入端有抗靜電的掩護法子，但仍需小心看待，在存儲和運輸中最好用金屬容器可能導電質料包裝，不要放在易發生靜電高壓的化工質料或化纖織物中。組裝、調試時， ST電容，東西、儀表、事情臺等均應精采接地。要防備操縱人員的靜電滋擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或東西在打仗集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲某人工焊接時，利用的設備必需精采接地。